与内存相关的词汇

ABP: Address Bit Permuting，地址位序列改变
2 u  G5 b) {# L6 UATC（Access Time from Clock，时钟存取时间）
$ q* u( z! {, _; ~  Y: s# QBSRAM（Burst pipelined synchronous static RAM，突发式管道同步静态存储器）% l5 F3 m- \/ A
CAS（Column Address Strobe，列地址控制器）- }4 S: L. w6 k/ _  U6 `! W  X, b  V
CCT（Clock Cycle Time，时钟周期）  L& Z4 q- C! x# @+ ~
DB: Deep Buffer（深度缓冲）
( |, w7 V. t- h5 D( mDDR SDRAM（Double Date Rate，双数据率SDRAM）2 o: D! l4 r* Q0 r3 i
DIL（dual-in-line）* P! ]( m$ O/ L& t0 {
DIMM（Dual In-line Memory Modules，双重内嵌式内存模块）$ j  A$ c: W( K' |1 j4 v
DRAM（Dynamic Random Access Memory，动态随机存储器）
: W- E$ M% q3 cDRDRAM（Direct RAMbus DRAM，直接RAMbus内存）2 W7 j! [# c. {* U- l
ECC（Error Checking and Correction，错误检查修正）) C8 g1 _, @& O$ C. r0 V
EEPROM（Electrically Erasable Programmable ROM,电擦写可编程只读存储器）
+ f- x, a; A7 w1 W1 B1 DFM: Flash Memory（快闪存储器）
4 {( b# f* l; E7 DFMD ROM （Fluorescent Material Read Only Memory，荧光质只读存储器）4 x% K3 C5 B/ K
PIROM：Processor Information ROM，处理器信息ROM
, ?' u4 X" p3 GPLEDM: Phase-state Low Electron（hole）-number Drive Memory! Z. O5 I. A, y' x# I% t) G7 ]
QBM（Quad Band Memory，四倍边带内存）* b2 A$ t! y1 n- U* D: G
RAC（Rambus Asic Cell，Rambus集成电路单元）
1 t& k8 h) Q! B: H9 r1 bRAS（Row Address Strobe，行地址控制器）  c! d7 }. r* S7 z; _' v9 S* {
RDRAM（Rambus Direct RAM，直接型RambusRAM）; c. T+ f/ R0 T( c5 B" ~0 N
RIMM（RAMBUS In-line Memory Modules，RAMBUS内嵌式内存模块）# q8 Q* o! @$ I* e5 h) w
SDR SDRAM（Single Date Rate，单数据率SDRAM）
; [& s1 _% ?! W) A" fSGRAM（synchronous graphics RAM，同步图形随机储存器）
! o2 e* C, `+ h1 z3 GSO-DIMM（Small Outline Dual In-line Memory Modules，小型双重内嵌式内存模块）
+ j6 o% ?# G8 t- v# JSPD（Serial Presence Detect，串行存在检查）6 d1 g$ g( s' Z1 k: i8 m
SRAM（Static Random Access Memory，静态随机存储器）
3 }# U! p( J3 u9 G7 @$ W' d9 G; rSSTL-2（Stub Series Terminated Logic-2）: z9 S# N& W6 |6 ?0 h; L( n# X2 C
TSOPs（thin small outline packages，超小型封装）1 ?4 K( p( i0 a/ o0 ?* O
USWV（Uncacheable, Speculative, Write-Combining非缓冲随机混合写入）/ {8 r: t$ y, S6 K) \1 P. L# g
VCMA（Virtual Channel Memory architecture，虚拟通道内存结构）